芯片产品
热点资讯
- Micron美光科技MT47H256M8EB-25E:C存储芯片IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBG
- Micron美光科技MT41K128M16JT-125 XIT:K存储芯片IC DRAM 2GBIT PARALLEL
- Micron美光科技MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR存储芯片IC DRAM 512MBIT PAR 90
- Micron美光科技MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A存储芯片IC FLASH 32GBIT PARAL
- 美光科技的技术研发与创新战略
- Micron美光科技MT35XU01GBBA1G12-0AUT存储芯片IC FLSH 1GBIT XCCELA BUS
- Micron美光科技MT41K128M16JT-107 AAT:K存储芯片IC DRAM 2GBIT PAR 96FBG
- Micron美光科技MT25QU02GCBB8E12-0AUT存储芯片IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBG
- Micron美光科技MT25QL128ABB8E12-0AUT存储芯片IC FLASH 128MBIT SPI 24TP
- Micron美光科技MT53E128M32D2DS-046 AUT:A存储芯片IC DRAM 4GBIT 2.133GH
你的位置:MICRON(美光科技)半导体IC芯片采购平台 > 芯片产品 > Micron美光科技MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR存储芯片IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA的技术和方案应用介绍
Micron美光科技MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR存储芯片IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA的技术和方案应用介绍
- 发布日期:2024-05-17 08:16 点击次数:97
Micron美光科技是一家全球知名的半导体制造商,而MT46H16M32LFB5-6是其一款具有代表性的存储芯片,采用AIT:C TR技术,具有高存储密度、高速读写和低功耗等特点。

AIT:C TR技术是Micron美光科技自主研发的一种存储技术,它采用了垂直栅极结构,大大提高了存储单元的密度和稳定性。这种技术使得MT46H16M32LFB5-6具有极高的存储容量,同时保持了较低的生产成本和较高的可靠性。
此外,MT46H16M32LFB5-6采用了DRAM的接口方式,使得数据的读写速度非常快,适用于对数据传输速度要求较高的应用场景。同时,它还采用了90VFBGA封装,这种封装方式具有体积小、功耗低、可靠性高等特点,适用于便携式设备和嵌入式系统等应用。
在方案应用方面, 亿配芯城 MT46H16M32LFB5-6可以广泛应用于各种需要大量存储空间和高速数据传输的领域,如移动设备、物联网设备、数据中心等。在这些领域中,MT46H16M32LFB5-6可以作为主存储器,与其他芯片组成高性能的系统,以满足不断增长的数据处理和存储需求。
此外,MT46H16M32LFB5-6还可以与其他类型的存储芯片如NAND Flash等组成混合存储系统,进一步提高系统的性能和可靠性。同时,它还可以与其他类型的处理器如CPU、GPU等组成高性能的计算平台,以满足更高层次的数据处理和人工智能应用需求。
总的来说,Micron美光科技的MT46H16M32LFB5-6存储芯片以其独特的AIT:C TR技术和90VFBGA封装方式,以及其在大量存储空间和高速数据传输方面的出色表现,为各种应用领域提供了强大的技术支持。

相关资讯
- Micron美光科技MT58L64L32PT-6TR存储芯片IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP的技术和方案应用介绍2025-06-29
- Micron美光科技MT58L64L32PT-6存储芯片IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP的技术和方案应用介绍2025-06-27
- Micron美光科技MT29F1G16ABBFAH4-AAT:F TR存储芯片IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA的技术和方案应用介绍2025-06-26
- Micron美光科技MT55L256V18P1T-10存储芯片IC SRAM 4MBIT PAR 100TQFP的技术和方案应用介绍2025-06-25
- Micron美光科技MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR存储芯片IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I的技术和方案应用介绍2025-06-24
- Micron美光科技MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR存储芯片IC FLASH 1GBIT SPI 8UPDFN的技术和方案应用介绍2025-06-23